中國力推深紫外光刻技術突破 劍指5奈米自主製程
為降低對西方極紫外光（EUV）光刻機等設備的依賴，中國正將現有深紫外光（DUV）技術推向極限。據《彭博社》與《南華早報》報導，華為關聯企業矽羿科技（SiCarrier）可能透過自對準四重成像技術（SAQP），實現國產5奈米晶片生產。
《南華早報》指出，矽羿科技2023年因一項「使用DUV設備製造5奈米晶片」的專利引發關注，該突破與華為Mate 60 Pro搭載的7奈米晶片密切相關。報導補充，該公司將在SEMICON China國際半導體展首度公開新品。
根據其微信公眾號資訊，矽羿科技本週將展示多款以中國名山命名的關鍵晶圓製造設備，包括：
- 峨眉山外延產品
- 武夷山蝕刻系統
- 長白山化學氣相沉積（CVD）設備
- 普陀山物理氣相沉積（PVD）裝置
- 阿里山原子層沉積（ALD）工具
多重成像技術是解方？
《南華早報》分析，矽羿科技的亮相引發中國晶片業界高度關注，這是其首度與國內龍頭如蝕刻與薄膜沉積設備商北方華創（Naura）同台展示。該公司技術核心可能是2023年底獲專利的「四重成像技術」，據《彭博社》報導，此技術透過多次蝕刻矽晶圓提升電晶體密度與性能，目標在無EUV情況下實現5奈米製程，有望降低生產成本。
值得注意的是，《彭博社》提到北方華創、中微公司等中國設備商也在開發配套多重成像的蝕刻系統，以突破7奈米以下製程限制。但《日經亞洲》持保留態度，指出矽羿科技雖宣稱已建成28奈米光刻機（當前由ASML、尼康、佳能主導的市場），業內人士對其商業化能力仍存疑。
