中國 EUV 光刻機研發傳重大進展 秘密實驗室組裝原型機瞄準 2028 年試產
全球半導體製造最尖端、也被視為中國晶片自主化最大障礙的極紫外光刻機技術，近期傳出突破性發展。據外媒引述消息人士報導，中國一個高度保密的實驗室已成功組裝出一台 EUV 光刻機原型系統，並正在進行秘密測試。此舉意味著中國在突破這項全球僅有荷蘭 ASML 公司能商業化供應的技術壟斷上，可能邁出了關鍵一步，但距離實際生產出晶片仍面臨重重挑戰。
原型機已建成 採用逆向工程與 ASML 相同技術路徑
報導指出，這台原型機於 2025 年初在深圳一處高度設防的設施內完成組裝，體積龐大，幾乎佔據整個廠房樓層。最引人注目的是，該系統被指採用與 ASML 現有 Twinscan NXE 系列相同的激光激發電漿技術來產生 13.5 奈米波長的 EUV 光源，而非中國清華大學或哈爾濱工業大學團隊正在研發的其他替代技術路線。這一選擇被外界解讀為該系統很大程度是透過逆向工程現有設備而來，或至少包含了大量源自 ASML 的技術。
該技術原理複雜：將直徑約 25-30 微米 的熔融錫滴以每秒約 5 萬滴的速度射入真空室，先以低強度雷射預脈衝將其壓扁成盤狀，再用高功率主脈衝轟擊，產生超過 20 萬攝氏度的超高溫電漿，從而輻射出 EUV 光。此過程每秒重複數萬次。
關鍵瓶頸仍在 光學系統與整合能力成最大挑戰
然而，報導同時明確指出，這台原型機目前完全無法用於製造晶片。其最大障礙在於難以複製 ASML 系統中由德國 Carl Zeiss 提供的超高精度光學系統，包括多層鉬矽塗層的收集鏡、照明光學模組以及具有亞奈米級波前誤差的投影光學系統。這些鏡面的製造與整合精度，直接決定了能否在晶圓上刻畫出數奈米級的電路圖案。
此外，關於 EUV 光源的功率、晶圓與光罩載台的機械系統精度等關鍵參數，目前均未有消息。消息人士分析，中國實驗室現階段的成果，可能僅相當於 ASML 在 2006 年 左右的研發水平，即能夠產生 EUV 光，但遠未達到在晶圓上進行穩定、高良率曝光的要求。
人才與逆向工程策略 目標 2028 年產出原型晶片
為攻克技術，據稱該秘密實驗室招募了包括 ASML 前工程師在內的大量人才，並組織了約 100 名 近期畢業的大學生，專門負責對獲得的 EUV 及 DUV 光刻機零件進行逆向工程。每個工位均設有專用攝像頭記錄拆解與重組過程，成功重組組件的員工可獲得獎金。然而，一台 EUV 光刻機包含超過 10 萬個零件，其複雜性在於無縫整合與系統級調試，遠非簡單拼裝零件所能達成。
中國政府據悉希望能在 2028 年 利用此設備產出首顆原型 EUV 晶片，但外界分析認為 2030 年 是更為現實的目標。ASML 對此回應表示，其他公司想複製其技術「並非易事」。
自主化長路漫漫 但已踏入最艱難的攻關階段
此次消息披露顯示，中國在 EUV 光刻機這一「半導體工業皇冠上的明珠」的自主研發上，已從理論研究與部件攻關，進入到整機集成與測試的實質性階段。這無疑是一項顯著的進展，證明其投入的巨量資源與人才戰略開始產生具象成果。
然而，從「能發出 EUV 光」到「能穩定生產出商用晶片」，中間隔著巨大的工程化鴻溝，涉及材料科學、精密光學、先進控制軟體等無數子系統的尖端突破與無縫耦合。即使原型機取得進展，距離建成一條完全自主、可支持量產的高階製程生產線，仍有極長的路要走。這場關乎全球半導體地緣格局的技術競賽，已進入最核心、也是最艱難的攻堅戰。
